K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BIWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| پیکیج | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40°C to +95°C |
| انٹرفیس | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS لیٹنسی | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |