K4A8G085WC-BIWE vs YZ48G08V-F9HPI-M مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WC-BIWE بواسطة Samsung Electronics و YZ48G08V-F9HPI-M بواسطة Loongtion. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WC-BIWE | YZ48G08V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Loongtion |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| العلبة | 78-FBGA | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | POD-12 | Parallel |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| زمن الوصول CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Package Type | — | FBGA78 |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Not Applicable |