K4A8G085WC-BIWE vs YZ48G08V-F9HPI-M השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC-BIWE מאת Samsung Electronics ו YZ48G08V-F9HPI-M מאת Loongtion. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC-BIWE | YZ48G08V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Loongtion |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| מארז | 78-FBGA | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | POD-12 | Parallel |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| השהיית CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Package Type | — | FBGA78 |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Not Applicable |