K4A8G085WC-BIWE vs YZ48G08V-F9HPI-M مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WC-BIWE توسط Samsung Electronics و YZ48G08V-F9HPI-M توسط Loongtion. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WC-BIWE | YZ48G08V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Loongtion |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| بسته‌بندی | 78-FBGA | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | POD-12 | Parallel |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| تأخیر CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Package Type | — | FBGA78 |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Not Applicable |