K4A8G085WC-BIWE vs YZ48G08V-F9HPI-M موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور YZ48G08V-F9HPI-M بذریعہ Loongtion. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ فعال
Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC-BIWE YZ48G08V-F9HPI-M
برانڈ Samsung Electronics Loongtion
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40°C to +95°C -40°C to +85°C
پیکیج 78-FBGA —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس POD-12 Parallel
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
CAS لیٹنسی 22 (CL22) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Package Type — FBGA78
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — Not Applicable

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں