K4A8G165WB-BIWE vs K4A8G165WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BIWE بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BIWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | -40C to +95C |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| الواجهة | Parallel | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |