K4A8G165WB-BIWE vs K4A8G165WB-BCRC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G165WB-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WB-BIWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| সংগঠন | 512M x 16 | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40°C to +95°C | -40C to +95C |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |