K4A8G165WB-BIWE vs K4A8G165WB-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BIWE توسط Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BIWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| دمای کاری | -40°C to +95°C | -40C to +95C |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| رابط | Parallel | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |