K4A8G165WB-BIWE vs K4A8G165WB-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BIWE מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WB-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BIWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | -40C to +95C |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| ממשק | Parallel | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 96 | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |