K4A8G165WB-BIWE vs YZ48G16V-F9HPI-M مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BIWE بواسطة Samsung Electronics و YZ48G16V-F9HPI-M بواسطة Loongtion. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BIWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Loongtion |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | FBGA96 |
| الواجهة | Parallel | DDR4 |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +85°C |
| عدد الأطراف | — | 96 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bits |