K4A8G165WB-BIWE vs YZ48G16V-F9HPI-M مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BIWE توسط Samsung Electronics و YZ48G16V-F9HPI-M توسط Loongtion. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BIWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Loongtion |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| دمای کاری | -40°C to +95°C | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | FBGA96 |
| رابط | Parallel | DDR4 |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| محدوده دمای کاری | — | -40°C to +85°C |
| تعداد پایه | — | 96 |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bits |