K4A8G165WB-BIWE vs YZ48G16V-F9HPI-M Perbandingan
Perbandingan bersamaan detil K4A8G165WB-BIWE dari Samsung Electronics dan YZ48G16V-F9HPI-M dari Loongtion. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.
Perbandingan Spesifikasi
| Parameter Umum | K4A8G165WB-BIWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Loongtion |
| Kategori | Memory ICs | DRAM |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Tipe Memori | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisasi | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Laju Data | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tegangan Pemuat | 1.2 V | 1.2 V |
| Suhu Kerja | -40°C to +95°C | — |
| Paket | 96-ball FBGA | FBGA96 |
| Antarmuka | Parallel | DDR4 |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Latensi CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipe Mounting | Surface Mount | Surface Mount |
| Jumlah Pin | 96 | — |
| Rentang Suhu Kerja | — | -40°C to +85°C |
| Jumlah Pin | — | 96 |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Lebar Bus Data | — | 16 bits |