K4A8G165WB-BIWE vs YZ48G16V-F9HPI-M Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BIWE tarafından Samsung Electronics ve YZ48G16V-F9HPI-M tarafından LoongtionAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIWE K4A8G165WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIWE ✓ Aktif
Loongtion
YZ48G16V-F9HPI-M YZ48G16V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA96 | Loongtion

YZ48G16V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA96 | Loongtion

YZ48G16V-F9HPI-M ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WB-BIWE YZ48G16V-F9HPI-M
Marka Samsung Electronics Loongtion
Kategori Memory ICs DRAM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organizasyon 512M x 16 512M x 16
Veri Hızı 3200 Mbps 3200 MT/s
Besleme Gerilimi 1.2 V 1.2 V
İşletim Sıcaklığı -40°C to +95°C —
Paket 96-ball FBGA FBGA96
Arayüz Parallel DDR4
Burst Length 8, 16 —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Auto-refresh, Self-refresh Auto-refresh
On-Die Termination Yes —
RoHS Compliant —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 96 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40°C to +85°C
Pin Sayısı — 96
RoHS Durumu — Compliant
Industrial Grade — Yes
Compatible with — Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B
Veri Bus Genişliği — 16 bits

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin