K4B4G1646D-BCNB0 vs MT41K256M16TW-107 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BCNB0 بواسطة Samsung Electronics و MT41K256M16TW-107 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BCNB0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.10 |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 2133 Mbps/pin | — |
| جهد التغذية | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V |
| العلبة | 96-FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| الواجهة | DDR3L SDRAM | Parallel |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| نوع الذاكرة | — | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |