K4B4G1646D-BCNB0 vs MT41K256M16TW-107 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BCNB0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at MT41K256M16TW-107 sa pamamagitan ng Micron Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCNB0 - 4Gb DDR3L SDRAM 2133Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BCNB0 ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BCNB0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.10 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Rate ng Data | 2133 Mbps/pin | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V |
| Packhaging | 96-FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| Interface | DDR3L SDRAM | Parallel |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| Uri ng Memory | — | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Width ng Data Bus | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Tindminan RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Level ng MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |