K4B4G1646D-BCNB0 vs MT41K256M16TW-107 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BCNB0 توسط Samsung Electronics و MT41K256M16TW-107 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BCNB0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $14.10 |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 2133 Mbps/pin | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| رابط | DDR3L SDRAM | Parallel |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| نوع حافظه | — | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |