K4B4G1646D-BCNB0 vs MT41K256M16TW-107 比較
詳細並排比較 K4B4G1646D-BCNB0 由 Samsung Electronics 與 MT41K256M16TW-107 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | K4B4G1646D-BCNB0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 單價 (USD) | — | $14.10 |
| Density | 4 Gb | — |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 資料速率 | 2133 Mbps/pin | — |
| 供應電壓 | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V |
| 封裝 | 96-FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| 工作溫度 | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Lead-Free | Yes | — |
| 無鹵素 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| CAS 延遲 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| 介面 | DDR3L SDRAM | Parallel |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| 腳位數 | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| 記憶體類型 | — | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| 資料匯流排寬度 | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS 狀態 | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 等級 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |