K4B4G1646D-BCNB0 vs MT41K256M16TW-107 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BCNB0 מאת Samsung Electronics ו MT41K256M16TW-107 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BCNB0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $14.10 |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 2133 Mbps/pin | — |
| מתח אספקה | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V |
| מארז | 96-FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| ממשק | DDR3L SDRAM | Parallel |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| סוג זיכרון | — | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| רוחב אפיק נתונים | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |