K4B4G1646D-BCNB0 vs MT41K256M16TW-107 So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BCNB0 bằng Samsung Electronics và MT41K256M16TW-107 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCNB0 K4B4G1646D-BCNB0 - 4Gb DDR3L SDRAM 2133Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BCNB0 - 4Gb DDR3L SDRAM 2133Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BCNB0 ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646D-BCNB0 MT41K256M16TW-107
Thương hiệu Samsung Electronics Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $14,10
Density 4 Gb —
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Tốc độ dữ liệu 2133 Mbps/pin —
Điện áp cung cấp 1.35 V (DDR3L) 1.35 V
Hộp 96-FBGA 96-FBGA (8x14 mm)
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 85°C 0C to +95C (commercial :P grade)
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
RoHS Compliant Yes —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh rate] —
Giao diện DDR3L SDRAM Parallel
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số lượng chân 96 —
Die D-die —
Kiểu bộ nhớ — DDR3L SDRAM
Kích thước bộ nhớ — 4 Gbit
Clock Frequency — 933 MHz (DDR3L-1866)
Access Time — 20 ns
Bề rộng đường dữ liệu — 16 bit
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Trạng thái RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá