K4B4G1646D-BCNB0 vs MT41K256M16TW-107 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BCNB0 tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16TW-107 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BCNB0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $14,10 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Hızı | 2133 Mbps/pin | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V |
| Paket | 96-FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| Arayüz | DDR3L SDRAM | Parallel |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| Bellek Türü | — | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS Durumu | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |