K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BFMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646Q بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BFMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| عرض ناقل البيانات | 16 bits | — |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.5V |
| معدل البيانات | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| زمن الوصول CAS | Programmable | Programmable |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |