K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BFMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646Q sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646D-BFMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BFMA ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Width ng Data Bus | 16 bits | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.5V |
| Rate ng Data | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Latensya ng CAS | Programmable | Programmable |
| Temperature na Operasyon | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |