K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BFMA Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646Q tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BFMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Bus Genişliği | 16 bits | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35V | 1.5V |
| Veri Hızı | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| CAS Gecikme | Programmable | Programmable |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |