K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BFMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646Q द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646D-BFMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bits | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.5V |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| CAS लेटेंसी | Programmable | Programmable |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |