K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BFMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646Q توسط Samsung Electronics و K4B4G1646D-BFMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| عرض گذرگاه داده | 16 bits | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | 1.5V |
| نرخ داده | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| تأخیر CAS | Programmable | Programmable |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |