M29F800FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F800FT55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F160FT55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology
M29F160FT55N3F2 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29F800FT55N3F2 | M29F160FT55N3F2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Flash |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash, Parallel | NOR Flash (Parallel, Asynchronous) |
| حجم الذاكرة | 8 Mbit | — |
| التنظيم | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit | 1M x 16 / 2M x 8 |
| جهد التغذية | 5 V (single supply) | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top boot block (T) | — |
| Programming Voltage | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) | — |
| العلبة | 48-pin TSOP | 48-Pin TSOP |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Erase Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Density | — | 16 Mbit (16777 kbits) |
| Number of Words | — | 1000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V (operating 4.5 V) |
| Synchronous / Asynchronous | — | Asynchronous |
| Boot Block Location | — | Top boot block (FT) |
| Program / Erase | — | Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |