M29F800FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F800FT55N3F2 מאת Micron Technology ו M29F160FT55N3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology
M29F160FT55N3F2 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | M29F800FT55N3F2 | M29F160FT55N3F2 |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Flash |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | NOR Flash, Parallel | NOR Flash (Parallel, Asynchronous) |
| גודל זיכרון | 8 Mbit | — |
| ארגון | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit | 1M x 16 / 2M x 8 |
| מתח אספקה | 5 V (single supply) | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top boot block (T) | — |
| Programming Voltage | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) | — |
| מארז | 48-pin TSOP | 48-Pin TSOP |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Erase Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Density | — | 16 Mbit (16777 kbits) |
| Number of Words | — | 1000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V (operating 4.5 V) |
| Synchronous / Asynchronous | — | Asynchronous |
| Boot Block Location | — | Top boot block (FT) |
| Program / Erase | — | Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |