M29F800FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55N3F2 tarafından Micron Technology ve M29F160FT55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology
M29F160FT55N3F2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | M29F800FT55N3F2 | M29F160FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Flash |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash, Parallel | NOR Flash (Parallel, Asynchronous) |
| Bellek Boyutu | 8 Mbit | — |
| Organizasyon | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit | 1M x 16 / 2M x 8 |
| Besleme Gerilimi | 5 V (single supply) | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top boot block (T) | — |
| Programming Voltage | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) | — |
| Paket | 48-pin TSOP | 48-Pin TSOP |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Erase Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Density | — | 16 Mbit (16777 kbits) |
| Number of Words | — | 1000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V (operating 4.5 V) |
| Synchronous / Asynchronous | — | Asynchronous |
| Boot Block Location | — | Top boot block (FT) |
| Program / Erase | — | Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |