M29F800FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29F800FT55N3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29F160FT55N3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29F800FT55N3F2 M29F160FT55N3F2
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Flash
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
মেমরি সাইজ 8 Mbit —
সংগঠন 1M x 8 bit / 512K x 16 bit 1M x 16 / 2M x 8
সাপ্লাই ভোল্টেজ 5 V (single supply) —
Access Time 55 ns 55 ns
ইন্টারফেস Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top boot block (T) —
Programming Voltage 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) —
প্যাকেজ 48-pin TSOP 48-Pin TSOP
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Erase Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Density — 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট