M29F800FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29F800FT55N3F2 بذریعہ Micron Technology اور M29F160FT55N3F2 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29F800FT55N3F2 M29F160FT55N3F2
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Flash
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
میموری سائز 8 Mbit —
تنظیم 1M x 8 bit / 512K x 16 bit 1M x 16 / 2M x 8
سپلائی وولٹیج 5 V (single supply) —
Access Time 55 ns 55 ns
انٹرفیس Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top boot block (T) —
Programming Voltage 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) —
پیکیج 48-pin TSOP 48-Pin TSOP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Erase Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Density — 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں