M29F800FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FT55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F160FT55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology
M29F160FT55N3F2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F800FT55N3F2 | M29F160FT55N3F2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Flash |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash, Parallel | NOR Flash (Parallel, Asynchronous) |
| मेमोरी आकार | 8 Mbit | — |
| संगठन | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit | 1M x 16 / 2M x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V (single supply) | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top boot block (T) | — |
| Programming Voltage | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) | — |
| पैकेज | 48-pin TSOP | 48-Pin TSOP |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Erase Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Density | — | 16 Mbit (16777 kbits) |
| Number of Words | — | 1000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V (operating 4.5 V) |
| Synchronous / Asynchronous | — | Asynchronous |
| Boot Block Location | — | Top boot block (FT) |
| Program / Erase | — | Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |