MRFG35010NR5 vs MRFG35003NR5 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRFG35010NR5 بواسطة NXP Semiconductors و MRFG35003NR5 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35003NR5 MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل MRFG35010NR5 MRFG35003NR5
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة Obsolete Obsolete
نوع الترانزستور pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz 3.55 GHz (test)
Operating Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Gain 10 dB (typical at 3.55 GHz) —
Output Power (CW) 9 W —
Voltage - Rated 15 V —
Voltage - Test 12 V —
Current - Test 180 mA —
Current Rating 2.9 A —
العلبة / الحالة PLD-1.5 PLD-1.5 (ceramic flange, bolt-down)
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
نوع التركيب Surface Mount Chassis / flange mount with screws
Configuration Single, unmatched Single, unmatched die
Application WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] —
Lead Free Status [DATA_NEEDED: lead free status] Lead-free (per NXP product page)
Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Drain-Source Rated Voltage — 15 V
Continuous Drain Current — 1.3 A
Test Drain Voltage — 12 V
Test Drain Current — 55 mA
Power Gain (typ) — 11.5 dB @ 3.55 GHz
Output Power — 3 W
Operating Class — Class AB linear
Packaging — Tape & Reel (R5 suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر