MRFG35010NR5 vs MRFG35003NR5 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MRFG35010NR5 מאת NXP Semiconductors ו MRFG35003NR5 מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35003NR5 MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 Obsolete

השוואת מפרטים

פרמטר MRFG35010NR5 MRFG35003NR5
מותג NXP Semiconductors NXP Semiconductors
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים Obsolete Obsolete
סוג טרנזיסטור pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz 3.55 GHz (test)
Operating Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Gain 10 dB (typical at 3.55 GHz) —
Output Power (CW) 9 W —
Voltage - Rated 15 V —
Voltage - Test 12 V —
Current - Test 180 mA —
Current Rating 2.9 A —
מארז / Case PLD-1.5 PLD-1.5 (ceramic flange, bolt-down)
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
סוג הרכבה Surface Mount Chassis / flange mount with screws
Configuration Single, unmatched Single, unmatched die
Application WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] —
Lead Free Status [DATA_NEEDED: lead free status] Lead-free (per NXP product page)
Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Drain-Source Rated Voltage — 15 V
Continuous Drain Current — 1.3 A
Test Drain Voltage — 12 V
Test Drain Current — 55 mA
Power Gain (typ) — 11.5 dB @ 3.55 GHz
Output Power — 3 W
Operating Class — Class AB linear
Packaging — Tape & Reel (R5 suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר