MRFG35010NR5 vs MRFG35003NR5 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRFG35010NR5 द्वारा NXP Semiconductors और MRFG35003NR5 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35003NR5 MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 Obsolete

विशेषता तुलना

पैरामीटर MRFG35010NR5 MRFG35003NR5
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete Obsolete
ट्रांज़िस्टर प्रकार pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz 3.55 GHz (test)
Operating Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Gain 10 dB (typical at 3.55 GHz) —
Output Power (CW) 9 W —
Voltage - Rated 15 V —
Voltage - Test 12 V —
Current - Test 180 mA —
Current Rating 2.9 A —
पैकेज / केस PLD-1.5 PLD-1.5 (ceramic flange, bolt-down)
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Chassis / flange mount with screws
Configuration Single, unmatched Single, unmatched die
Application WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: rohs status] —
Lead Free Status [DATA_NEEDED: lead free status] Lead-free (per NXP product page)
Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Drain-Source Rated Voltage — 15 V
Continuous Drain Current — 1.3 A
Test Drain Voltage — 12 V
Test Drain Current — 55 mA
Power Gain (typ) — 11.5 dB @ 3.55 GHz
Output Power — 3 W
Operating Class — Class AB linear
Packaging — Tape & Reel (R5 suffix)

डेटाशीट और संसाधन

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