MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16JY-075E بواسطة Micron Technology و H5AN8G6NAFR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A512M16JY-075E | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (CMOS) |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| معدل البيانات | 2666 MT/s | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| العلبة | 96-FBGA (8x14) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| الميزات | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Clock Architecture | — | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +85C |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge function |
| Reset | — | Asynchronous reset function |
| Data Mask | — | DM function supported |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration function |
| Error Checking | — | CRC function |
| Write Leveling | — | Write leveling function supported |