MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR-UHC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M16JY-075E بذریعہ Micron Technology اور H5AN8G6NAFR-UHC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT40A512M16JY-075E H5AN8G6NAFR-UHC
برانڈ Micron Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
ڈیٹا ریٹ 2666 MT/s 2400 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.14V to 1.26V —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
انٹرفیس Parallel —
پیکیج 96-FBGA (8x14) 96-ball FBGA (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج 0°C to +95°C (TC) —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
خصوصیات Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Memory Density — 8 Gbit
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Clock Architecture — Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0C to +85C
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge function
Reset — Asynchronous reset function
Data Mask — DM function supported
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration function
Error Checking — CRC function
Write Leveling — Write leveling function supported

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں