MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR-UHC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16JY-075E নির্দিষ্ট Micron Technology ও H5AN8G6NAFR-UHC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ সক্রিয়
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A512M16JY-075E H5AN8G6NAFR-UHC
ব্র্যান্ড Micron Technology SK hynix
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
মেমরি সাইজ 8 Gbit —
সংগঠন 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
ডেটা রেট 2666 MT/s 2400 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.14V to 1.26V —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
ইন্টারফেস Parallel —
প্যাকেজ 96-FBGA (8x14) 96-ball FBGA (TFBGA)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর 0°C to +95°C (TC) —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
বৈশিষ্ট্য Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Memory Density — 8 Gbit
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V
Clock Architecture — Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous
অপারেটিং তাপমাত্রা — 0C to +85C
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge function
Reset — Asynchronous reset function
Data Mask — DM function supported
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration function
Error Checking — CRC function
Write Leveling — Write leveling function supported

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট