NT6AN8T0SA vs H5AN8G6NDJR-XNC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT6AN8T0SA بواسطة Nanya Technology و H5AN8G6NDJR-XNC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT6AN8T0SA | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $55.68 |
| نوع الذاكرة | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| التنظيم | 64M x 32 | — |
| جهد التغذية | 1.2V | — |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| معدل البيانات | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -30°C to +85°C | — |
| العلبة | FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |