NT6AN8T0SA vs H5AN8G6NDJR-XNC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT6AN8T0SA द्वारा Nanya Technology और H5AN8G6NDJR-XNC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT6AN8T0SA | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $55.68 |
| मेमोरी प्रकार | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| संगठन | 64M x 32 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2V | — |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| डेटा दर | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -30°C to +85°C | — |
| पैकेज | FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |