NT6AN8T0SA vs H5AN8G6NDJR-XNC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT6AN8T0SA tarafından Nanya Technology ve H5AN8G6NDJR-XNC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Nanya Technology
NT6AN8T0SA NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA ✓ Aktif
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre NT6AN8T0SA H5AN8G6NDJR-XNC
Marka Nanya Technology SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $55,68
Bellek Türü LPDDR2 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 2Gb —
Organizasyon 64M x 32 —
Besleme Gerilimi 1.2V —
I/O Voltage 1.2V —
Veri Hızı 1066 Mbps (533 MHz) 3200 Mbps
İşletim Sıcaklığı Aralığı -30°C to +85°C —
Paket FBGA FBGA-96 (13x7.5 mm)
Montaj Türü Surface Mount —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Refresh Period 64ms at 85°C —
Burst Length 4 or 8 —
On-Die Termination Yes —
DLL Yes —
Bellek Boyutu — 8 Gb
Memory Organization — 512M x16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (max 1.26 V)
Number of Terminals — 96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Input/Output Type — COMMON
RoHS — Compliant
Klorürsüz — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin