2N7002LT1G vs BSS138LT1G-VB তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা 2N7002LT1G নির্দিষ্ট onsemi ও BSS138LT1G-VB নির্দিষ্ট VBsemi Elec. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ সক্রিয়
VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার 2N7002LT1G BSS138LT1G-VB
ব্র্যান্ড onsemi VBsemi Elec
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Polarity N-Channel —
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET Single FET
প্যাকেজ SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিনের সংখ্যা 3 —
ক্যাটাগরি Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET —
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) VBsemi Elec
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 50 V
Continuous Drain Current (Id) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 225 mW (Ta)
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: RDS(on)]
Drive Voltage — [DATA_NEEDED: drive voltage]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
অপারেটিং তাপমাত্রা — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Equivalent To — onsemi BSS138LT1G

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট