2N7002LT1G vs BSS138LT1G-VB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2N7002LT1G بذریعہ onsemi اور BSS138LT1G-VB بذریعہ VBsemi Elec. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ فعال
VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2N7002LT1G BSS138LT1G-VB
برانڈ onsemi VBsemi Elec
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET Single FET
پیکیج SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 —
زمرہ Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET —
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) VBsemi Elec
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 50 V
Continuous Drain Current (Id) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 225 mW (Ta)
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: RDS(on)]
Drive Voltage — [DATA_NEEDED: drive voltage]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
آپریٹنگ درجہ حرارت — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Equivalent To — onsemi BSS138LT1G

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں