2N7002LT1G vs BSS138LT1G-VB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2N7002LT1G द्वारा onsemi और BSS138LT1G-VB द्वारा VBsemi Elec. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 2N7002LT1G | BSS138LT1G-VB |
|---|---|---|
| ब्रांड | onsemi | VBsemi Elec |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Channel Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 60 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 115 mA (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 225 mW (Ta) | — |
| Maximum RDS(on) | 7.5 ohm @ VGS = 5 V | — |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| पैकेज | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 | — |
| श्रेणी | Small Signal MOSFET | — |
| Technology | MOSFET | — |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | VBsemi Elec |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packaging type] | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 50 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 200 mA (Ta) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 225 mW (Ta) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| RDS(on) Max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on)] |
| Drive Voltage | — | [DATA_NEEDED: drive voltage] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Equivalent To | — | onsemi BSS138LT1G |