2N7002LT1G vs BSS138LT1G-VB So sánh
So sánh chi tiết song song của 2N7002LT1G bằng onsemi và BSS138LT1G-VB bằng VBsemi Elec. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 2N7002LT1G | BSS138LT1G-VB |
|---|---|---|
| Thương hiệu | onsemi | VBsemi Elec |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | N-Channel | — |
| Channel Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 60 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 115 mA (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 225 mW (Ta) | — |
| Maximum RDS(on) | 7.5 ohm @ VGS = 5 V | — |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Hộp | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số lượng chân | 3 | — |
| Danh mục | Small Signal MOSFET | — |
| Technology | MOSFET | — |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | VBsemi Elec |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packaging type] | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 50 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 200 mA (Ta) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 225 mW (Ta) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| RDS(on) Max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on)] |
| Drive Voltage | — | [DATA_NEEDED: drive voltage] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Equivalent To | — | onsemi BSS138LT1G |