AS4C512M16D4-75BIN vs K4A8G165WB-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা AS4C512M16D4-75BIN নির্দিষ্ট Alliance Memory ও K4A8G165WB-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | AS4C512M16D4-75BIN | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | DRAM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40°C to +95°C | 0C to +85C |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| ইন্টারফেস | POD | DDR4 (parallel, double data rate) |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| বৈশিষ্ট্য | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Density | — | 8 Gb |
| সংগঠন | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | B-die |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |