AS4C512M16D4-75BIN vs K4A8G165WB-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của AS4C512M16D4-75BIN bằng Alliance Memory và K4A8G165WB-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | AS4C512M16D4-75BIN | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | DRAM |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Hộp | 96-FBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | 0C to +85C |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Giao diện | POD | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Số lượng chân | 96 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Tính năng | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Tổ chức | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | B-die |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |