AS4C512M16D4-75BIN vs K4A8G165WB-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AS4C512M16D4-75BIN بذریعہ Alliance Memory اور K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ فعالSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | AS4C512M16D4-75BIN | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| پیکیج | 96-FBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C | 0C to +85C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| انٹرفیس | POD | DDR4 (parallel, double data rate) |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| خصوصیات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | B-die |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |