AS4C512M16D4A-62BCNTR vs K4A8G165WC-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা AS4C512M16D4A-62BCNTR নির্দিষ্ট Alliance Memory ও K4A8G165WC-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | AS4C512M16D4A-62BCNTR | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $38.00 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | — |
| Clock Rate | 1600 MHz (DDR4-3200) | — |
| CAS লেটেন্সি | 18 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +95°C (Commercial) | — |
| ইন্টারফেস | POD (Pseudo Open Drain) | Differential (CK, /CK) |
| ডেটা রেট | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Moisture Sensitivity Level | 3 (168 Hours) | — |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15 ns | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack | 1500/reel (Tape & Reel) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| সংগঠন | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | 0°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |