AS4C512M16D4A-62BCNTR vs K4A8G165WC-BCWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AS4C512M16D4A-62BCNTR بذریعہ Alliance Memory اور K4A8G165WC-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | AS4C512M16D4A-62BCNTR | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $38.00 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | — |
| Clock Rate | 1600 MHz (DDR4-3200) | — |
| CAS لیٹنسی | 18 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| پیکیج | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C (Commercial) | — |
| انٹرفیس | POD (Pseudo Open Drain) | Differential (CK, /CK) |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Moisture Sensitivity Level | 3 (168 Hours) | — |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15 ns | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack | 1500/reel (Tape & Reel) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |