BSS806NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS806NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS214NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSS806NH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 2 MOSFET, SOT-23 | Infineon
BSS806NH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSS806NH6327XTSA1 | BSS214NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 2 (trench MOSFET) | OptiMOS 2 (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 2.3 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 57 mΩ | 250 mOhm at VGS = 4.5 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V rated (logic level) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate Drive (recommended VGS) | 1.8 V to 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 500 mW | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| প্যাকেজ | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1.5 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±12 V (recommended) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead Finish | — | Pb-free lead plating (matte tin) |
| ESD Protection | — | Yes (gate ESD diode) |